供应IRF9540N 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

零件编号 IRF9540NPBF-ND

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRF9540NPBF

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 97nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 140W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 117 毫欧 @ 11A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

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“光进铜退”是有线电视网络宽带化、双向化的发展趋势, 有线电视网络改造应将光纤进一步向用户端推进, 实现高可靠、高带宽、高承载力、可管理、可运营的目标。在目前的双向网络改造中, 光纤到小区、光纤到楼甚至光纤到户都成为事实, 光纤的应用空前广泛,如何更好地发挥光纤传输频带宽、通信容量大、损耗低、不受电磁干扰、光缆直径小、重量轻、原材料来源丰富等优点, 是值得我们关注的。光在光纤中传输会产生损耗, 这种损耗主要是由光纤自身的传输损耗和光纤接头处的熔接损耗组成的。光缆一经定购, 其光纤自身的传输损耗也基本确定, 而光纤接头处的熔接损耗则与光纤的本身及现场施工有关, 现介绍我县光缆接续工程的步骤与方法。