供应IRFU024PBF 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

零件编号 IRFU024PBF-ND

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

IRFU024PBF

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 25nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），42W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 8.4A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-251AA

封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

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图2　信号SPD的安装连接

限压型电涌保护器产品的核心元件为氧化锌压敏电阻(MOV)。其失效后电涌保护器有可能出现两类故障状况,一类是热击穿造成L-N/PE线间接地短路,其电流值可使后备过电流保护元件动作;另一类是由于接地故障电流小,过流保护元件不动作,MOV因发热起火,因此必须在位于电涌保护器外部的前端装设后备保护元件。其作用是当电涌保护器不能切断工频短路电流时,过电流保护电器动作,把电涌保护器从并联线路中断开,使电涌保护器不会引起过热而导致火灾、爆炸等事故,同时可保证电源的持续供电。

正确、合理地选用后备保护元件,直接关系到系统及电涌保护器的安全性和可靠性。后备保护元件与SPD配合后,应可保护在额定电涌电流作用时后备保护元件不动作,保证电涌电流的正常泄放,同时其作用在支路上的残压Ur低于用电设备的保护水平Up,以保证系统及用电设备安全。

目前多数SPD产品选择熔断器、微型断路器做其后备保护,其额定电流的选择可参照表2。

表2　额定电流