供应IDT72V283L10PFI集成电路（IC） 逻辑 - FIFO 存储器

零件编号 72V283L10PFI8-ND

现有数量 5000

检查提前期

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

制造商零件编号

72V283L10PFI8

类别 集成电路（IC）

逻辑 - FIFO 存储器

制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc

系列 72V

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 最後搶購

存储容量 576K（32K x 18）（64K x 9）

功能 同步

数据速率 100MHz

访问时间 6.5ns

电压 - 电源 3.15V ~ 3.45V

电流 - 电源（最大值） 35mA

总线方向 单向

扩充类型 深度，宽度

可编程标志支持 是

中继能力 是

FWFT 支持 是

工作温度 -40°C ~ 85°C

安装类型 表面贴装

封装/外壳 80-LQFP

供应商器件封装 80-TQFP（14x14）

基本零件编号 72V283 

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图2：英飞凌的功率模块封装采用了热接口材料（TIM）

有些封装保留了封装的尺寸和高散热效率的底部设计，同时将顶部源极裸露作为散热区。此举可实现更高的额定电流值，从而实现更高的功率密度和更小的封装尺寸。

4.散热

用于在封装内部产生隔离的常规方法通常既昂贵又难以处理。而且，它们远不足以管理IGBT等高功率密度器件的散热。

因此，英飞凌推出了一种叫做Trenchstop高级隔离的封装技术（图3）。这家德国芯片厂家称，Trenchstop封装技术可以取代全隔离封装（FullPAK）以及标准隔离箔。英飞凌将这种新封装定位于面向空调的功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）和电源转换器等应用。

图3：右侧封装的发热量减少了15%。（图片来源：英飞凌科技）

这种隔离封装不再需要隔离材料和导热硅脂，从而使设计人员能将装配时间缩短高达35%。同时，因为不存在隔离箔未对齐的情况，所以它还提高了可靠性。这也实现了比FullPAK工作温度低10℃的改进。

5.开关损耗

特别是对像工业驱动器等器件中工作频率高达20kHz的硬开关电路，为提高封装效率，减少开关损耗势在必行。此外，可靠的开关和低EMI增强了小功率应用中的无散热器工作。

为降低开关损耗，一些封装解决方案采用了额外的开尔文发射极电源引脚（图4）。它旁路了栅极控制回路的发射极引线电感，从而提高了器件的开关速度，降低了开关能量。

图4：具有开尔文发射极的封装可将动态损耗降低20%。（图片来源：英飞凌科技）