供应二极管 SMBD7000E6327 整流器

SMBD7000E6327介绍：

描述 DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

详细描述 Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

类别 分立半导体产品

二极管 - 整流器 - 阵列

制造商 Infineon Technologies

系列 -

包装    带卷（TR）

零件状态 最後搶購

二极管配置 1 对串联

二极管类型 标准

电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 100V

电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 200mA（DC）

不同 If 时的电压 - 正向（Vf 1.25V @ 150mA

速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间（trr） 4ns

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 100V

工作温度 - 结 150°C（最大）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3

基本零件编号 SMBD7000

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。