供应IRF9Z24分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

零件编号 IRF9Z24NPBF-ND

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制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRF9Z24NPBF

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 19nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 45W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 175 毫欧 @ 7.2A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

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震撼画质，OLED必将主导未来

在光线控制技术上，LED和OLED相比，前者如同月亮，而后者好似太阳，传统LED电视是背光控制，而OLED电视是独立光源自发光，因而更轻更薄更省电，在黑色方面的表现也更纯粹。而只有在深邃的黑色映衬下，强烈的明暗对比方能呈现更加鲜活逼真的色彩。在现场观看时，很多观众被W8带来的如临其境的感官效果和美学体验所震撼。

现场专家对W8是怎样达到如此效果进行了技术讲解：LG OLED面板能同时调度处理近829万个像素点的海量画质信息，在画面效果上与LED液晶电视完全不在同一量级。