供应晶体管 STU5N95K3 FET

STU5N95K3介绍：

描述 MOSFET N-CH 950V 4A IPAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 通孔 N 沟道 950V 4A（Tc） 90W（Tc） I-PAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 SuperMESH3™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 950V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 19nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 460pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 90W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 I-PAK

封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管.