AO3401A AOS美国万代原装30V场效应管P沟道MOSFET MOS管现货供应

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制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)44 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)12.2nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1200pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23-3L
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

 

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品牌

聖禾堂

型号

AO3401A

封装

SOT-23

批号

18+

FET类型

P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

漏极电流(Id)

4A

漏源导通电阻(RDS On)

44 毫欧

栅源电压(Vgs)

±12V

栅极电荷(Qg)

12.2nC

耗散功率

1400

工作温度范围

-55°C ~ 150°C

安装类型

表面贴装

应用领域

3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,家用电器,安防设备,智能家居,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信