SI1012CR-T1-GE3 场效应管

SI1012CR-T1-GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SC-75-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 600 mA

Rds On-漏源导通电阻: 396 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 1.3 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 240 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.8 mm  

长度: 1.575 mm  

系列: SI1  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 0.76 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 7.5 S  

下降时间: 11 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 16 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 26 ns  

典型接通延迟时间: 11 ns  

零件号别名: SI1012CR-GE3  

单位重量: 2 mg

SI1012CR-T1-GE3

特征：

•TrenchFET®功率MOSFET：额定1.2 V

 •100％Rg测试

 •栅源ESD保护：1000 V

SI1012CR-T1-GE3

应用：

 •便携式设备的负载/电源切换

 •驱动器：继电器，螺线管，灯，锤，显示器，

回忆

 •电池供电系统

 •电源转换器电路