DMP3130L-7场效应管

DMP3130L-7规格：

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 4.1 A

Rds On-漏源导通电阻: 77 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 11.8 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.3 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1 mm  

长度: 2.9 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: DMP3130  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 1.3 mm  

商标: Diodes Incorporated  

正向跨导 - 最小值: 8 S  

下降时间: 15 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 6.5 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 27.8 ns  

典型接通延迟时间: 4.6 ns  

单位重量: 40 mg

DMP3130L-7描述和应用：

这款新一代MOSFET的设计旨在最大限度地减少噪声

导通电阻（RDS（ON））并保持优异的开关

性能，使其成为高效电源管理的理想选择

应用。

DC-DC转换器

电源管理功能

模拟开关

DMP3130L-7特点和好处：

低导通电阻

低门限电压

低输入电容

快速切换速度

低输入/输出泄漏

卤素和无锑。 “绿色”装置

符合AEC-Q101高可靠性标准

符合汽车标准的部件可用于