DMN26D0UDJ-7场效应管

DMN26D0UDJ-7规格：

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-963-6

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 240 mA

Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 300 mW

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

产品: MOSFET Gate Drivers  

系列: DMN26  

晶体管类型: 2 N-Channel  

类型: Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET  

商标: Diodes Incorporated  

正向跨导 - 最小值: 180 mS  

下降时间: 15.2 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 7.9 ns  

工厂包装数量: 10000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 13.4 ns  

典型接通延迟时间: 3.8 ns

DMN26D0UDJ-7特征：

双N沟道MOSFET

低导通电阻：

3.0Ω@ 4.5V

4.0Ω@ 2.5V

6.0Ω@ 1.8V

10V@ 1.5V

极低门限电压，最大1.05V

低输入电容

快速切换速度

超小型表面贴装封装

ESD保护门（HBM 300V）

卤素和无锑。 “绿色”装置

DMN26D0UDJ-7机械数据：

表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物;

UL可燃性分类等级94V-0

湿度敏感度：J-STD-020的1级

端子：表面处理 -  Matte Tin通过铜引线框退火。

可根据MIL-STD-202，方法208进行焊接

重量：0.0027克（近似值）