DMN2004DWK-7 场效应管

型号：DMN2004DWK-7

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-363-6

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 540 mA

Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V

Qg-栅极电荷: 0.53 nC

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 200 mW

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1 mm  

长度: 2.2 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: DMN2004  

晶体管类型: 2 N-Channel  

宽度: 1.35 mm  

商标: Diodes Incorporated  

下降时间: 10.5 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 7.3 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 13.8 ns  

典型接通延迟时间: 4.1 ns  

单位重量: 6 mg  

型号：DMN2004DWK-7

特征

双N沟道MOSFET

低导通电阻

低门限电压

低输入电容

快速切换速度

低输入/输出泄漏

超小型表面贴装封装

完全无铅且完全符合RoHS标准（注1和2）

卤素和无锑。 “绿色”装置（注3）

符合AEC-Q101高可靠性标准

型号：DMN2004DWK-7

机械数据

表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物。

UL可燃性分类等级94V-0

湿度敏感度：J-STD-020的1级

端子：表面处理 -  Matte Tin在合金42上退火

引线框架。 可根据MIL-STD-202，方法208进行焊接

重量：0.006克（近似值）