汽车音响MOSFET

    汽车音响MOSFET规格：

    制造商:STMicroelectronics

    产品种类:MOSFET

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:H2PAK-2

    通道数量:1Channel

    晶体管极性:N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:100V

    Id-连续漏极电流:110A

    RdsOn-漏源导通电阻:3.4mOhms

    Vgsth-栅源极阈值电压:2.5V

    Vgs-栅极-源极电压:20V

    Qg-栅极电荷:117nC

    最小工作温度:-55C

    最大工作温度:+175C

    配置:Single

    Pd-功率耗散:250W

    通道模式:Enhancement

    封装:TapeandReel

    系列:N-channelSTripFET

    晶体管类型:1N-Channel

    商标:STMicroelectronics

    下降时间:33ns

    产品类型:MOSFET

    上升时间:57ns

    工厂包装数量:1000

    子类别:MOSFETs

    典型关闭延迟时间:72ns

    典型接通延迟时间:33ns

    汽车音响MOSFET优势：

    1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

    2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3.可以用作可变电阻。

    4.可以方便地用作恒流源。

    5.可以用作电子开关。

    6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。