锂电保护场效应管

    锂电保护场效应管规格：

    制造商:Vishay

    安装风格:ThroughHole

    封装/箱体:TO-220AB-3

    通道数量:1Channel

    晶体管极性:N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:500V

    Id-连续漏极电流:8A

    RdsOn-漏源导通电阻:850mOhms

    Vgsth-栅源极阈值电压:2V

    Vgs-栅极-源极电压:10V

    Qg-栅极电荷:63nC

    最小工作温度:-55C

    最大工作温度:+150C

    配置:Single

    Pd-功率耗散:125W

    通道模式:Enhancement

    封装:Tube

    晶体管类型:1N-Channel

    商标:Vishay/Siliconix

    正向跨导-最小值:4.9S

    下降时间:20ns

    上升时间:23ns

    工厂包装数量:50

    子类别:MOSFETs

    典型关闭延迟时间:49ns

    典型接通延迟时间:14ns

    零件号别名:SIHF840-E3

    单位重量:6g

    锂电保护场效应管特点：

    动态dV / dt等级

    重复雪崩评级

    快速切换

    易于平行

    简单的驱动要求