大功率场效应管

    大功率场效应管规格：

    制造商:Vishay

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:SOT-23-3

    通道数量:1Channel

    晶体管极性:P-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:-20V

    Id-连续漏极电流:-3.1A

    RdsOn-漏源导通电阻:112mOhms

    Vgsth-栅源极阈值电压:-0.4V

    Vgs-栅极-源极电压:-4.5V

    Qg-栅极电荷:10nC

    最小工作温度:-55C

    最大工作温度:+150C

    配置:Single

    Pd-功率耗散:1.6W

    通道模式:Enhancement

    商标名:TrenchFET

    封装:CutTape

    晶体管类型:1P-Channel

    正向跨导-最小值:9.5S

    下降时间:10ns

    上升时间:35ns

    工厂包装数量:3000

    典型关闭延迟时间:30ns

    典型接通延迟时间:11ns

    零件号别名:SI2301CDS-GE3

    单位重量:8mg

    场效应管的分类：

    场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

    按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

    场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。