VISHAY场效应管

    VISHAY场效应管参数：

    制造商:Vishay

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:SOT-23-3

    通道数量:1Channel

    晶体管极性:P-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:-20V

    Id-连续漏极电流:-3.1A

    RdsOn-漏源导通电阻:112mOhms

    Vgsth-栅源极阈值电压:-0.4V

    Vgs-栅极-源极电压:-4.5V

    Qg-栅极电荷:10nC

    最小工作温度:-55C

    最大工作温度:+150C

    配置:Single

    Pd-功率耗散:1.6W

    通道模式:Enhancement

    商标名:TrenchFET

    封装:CutTape

    晶体管类型:1P-Channel

    商标:Vishay/Siliconix

    正向跨导-最小值:9.5S

    下降时间:10ns

    产品类型:MOSFET

    上升时间:35ns

    工厂包装数量:3000

    典型关闭延迟时间:30ns

    典型接通延迟时间:11ns

    零件号别名:SI2301CDS-GE3

    单位重量:8mg

    VISHAY场效应管规格：

    无卤素符合IEC 61249-2-21定义

    TrenchFET功率MOSFET

    符合RoHS指令2002/95 / EC