sot23场效应管

    sot23场效应管规格：

    标准包装:2,500

    包装:标准卷带

    零件状态:停產

    类别:分立半导体产品

    产品族:晶体管-FET，MOSFET-单

    FET类型:P沟道

    技术:MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）:40V

    电流-连续漏极（Id）（25°C时）:40A（Tc）

    驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:4.5V，10V

    不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）:15毫欧@20A，10V

    不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V@250?A

    不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:55nC@10V

    Vgs（最大值）:±20V

    不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2550pF@20V

    功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）

    工作温度:-55°C~175°C（TJ）

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）

    封装/外壳:TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63

    什么是场效应管：

    场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。