AOS场效应管,质量保证
地区:广东 深圳
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无
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产品属性
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AOS场效应管采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 具有优良的耐热性DPAK / IPAK封装,该器件非常适合大电流应用。
AOS场效应管规格:
制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.
标准包装:2,500
包装:标准卷带
零件状态:停產
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管-FET,MOSFET-单
FET类型:P沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):15毫欧@20A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250?A
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值):55nC@10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2550pF@20V
功率耗散(最大值):62.5W(Tc)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
AOD4185L
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装