美国万代MOSFET

    美国万代MOSFET采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。

    美国万代MOSFET规格：

    制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.

    标准包装:3,000

    包装:标准卷带

    零件状态:在售

    类别:分立半导体产品

    产品族:晶体管-FET，MOSFET-单

    FET类型:N沟道

    技术:MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）:30V

    电流-连续漏极（Id）（25°C时）:3.6A（Ta）

    驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:4.5V，10V

    不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）:50毫欧@3.6A，10V

    不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V@250?A

    不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:5nC@10V

    Vgs（最大值）:±20V

    不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:210pF@15V

    功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）

    工作温度:-55°C~150°C（TJ）

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:SOT-23-3L

    封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3