美国万代场效应管

    美国万代场效应管规格：

    制造商：Alpha&OmegaSemiconductorInc.

    标准包装：3,000

    包装：剪切带（CT）

    类别：分立半导体产品

    产品族：晶体管-FET，MOSFET-单

    系列：AlphaMOS

    FET类型：N沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流-连续漏极（Id）（25°C时）：27A（Ta），32A（Tc）

    驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

    不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3.6毫欧@20A，10V

    不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V@250A

    不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：40nC@10V

    Vgs（最大值）：±20V

    不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1975pF@15V

    FET功能：肖特基二极管（体）

    功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），41W（Tc）

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-DFN（5x6）

    封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

    美国万代场效应管特点：

    最新沟槽功率AlphaMOS（αMOSLV）技术

    集成肖特基二极管（SRFET）

    4.5VGS的极低RDS（on）

    低栅极电荷

    高电流能力

    符合RoHS和无卤素标准

    美国万代场效应管应用：

    计算，服务器和POL中的DC / DC转换器

    电信和工业中的隔离式DC / DC转换器