分销IR,MICROSEMI军用高能产品,IRFM360

封装:TO-254AA
类型:MOSFET N沟
BVDSS:400V
RDS(on)(ohms):0.2
ID@25C(A):23

ID@100C(A):14

功率:250W

特性:
Low RDS(on)
Avalanche Energy Ratings
Dynamic dv/dt Rating
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Surface Mount
Light Weight
大功率MOSFET,密封式封装工艺,主要应用于军事,航天,空间,船舶等领域,开关电源,马达控制,变压器,
音频放大器和高能脉冲电路,性能优越,寿命超长,工作温度广.