分销IR,MICROSEMI军用高能产品,IRF5NJ5305

地区:广东 深圳
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封装:SMD-0.5
类型:MOSFET P沟
BVDSS:-55V
RDS(on)(ohms):0.065
ID@25C(A):-22
ID@100C(A):-16

功率:75W

特性:
Low RDS(on)
Avalanche Energy Ratings
Dynamic dv/dt Rating
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Surface Mount
Light Weight
大功率MOSFET,密封式封装工艺,主要应用于军事,航天,空间,船舶等领域,开关电源,马达控制,变压器,
音频放大器和高能脉冲电路,性能优越,寿命超长,工作温度广.

型号/规格

IRF5NJ5305

品牌/商标

IR

封装形式

SMD-0.5

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

托盘

功率特征

大功率