MOS场效应管APM3048ADU4——APM6048DU4
地区：广东 深圳
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| RDS(ON) Max (T*)(mΩ) | |||||||||
| Part_No | Package | Configuration | BV (V) | VGS (V) | Vt (V) | Vg_10v | Vg_4.5v | Vg_2.5v | Vg_1.8v |
| APM3048ADU4 | TO-252-4 | Complementary N P | 30/-30 | &plu*n;20(*D)/&plu*n;20(*D) | 1.5/-1.5 | 27(21)/45(36) | 34(27)/57(46) | - | - |
| APM4048DU4 | TO-252-4 | Complementary N P | 40/-40 | &plu*n;20/&plu*n;20 | 2.1/-1.9 | 33(25)/48(37) | 45(35)/68(49) | - | - |
| APM4048ADU4 | TO-252-4 | Complementary N P | 40/-40 | &plu*n;20(*D)/&plu*n;20(*D) | 2.1/-1.9 | 33(25)/48(37) | 45(35)/68(49) | - | - |
| APM4052DU4 | TO-252-4 | Complementary N P | 40/-40 | &plu*n;20/&plu*n;20 | 2/-2 | 38(30)/50(40) | 62(46)/73(52) | - | - |
| APM6048DU4 | TO-252-4 | Complementary N P | 60/-60 | &plu*n;25/&plu*n;25 | 2/-2 | 55(40)/105(85) | 80(60)/140(105) | - | - |
台湾茂达
APM3048ADU4——APM6048DU4
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
