K4111 2SKV10A45W 场效应管 *原装

地区:广东 深圳
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标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 600V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 10A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 750 毫欧 @ 5A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 1mA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1500pF @ 25V
 
功率 - *大 45W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
供应商设备封装 TO-220NIS
 
包装 散装



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品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

K4111 2SK4111

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

LMP-C/阻*变换

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

600(V)

夹断电压

600(V)

跨导

10(μS)

*间电容

1500(pF)

低频噪声系数

10(dB)

漏*电流

10(mA)

耗散功率

45(mW)