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产品属性
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标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 10A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 750 毫欧 @ 5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1500pF @ 25V
功率 - *大 45W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 TO-220NIS
包装 散装
TOSHIBA/东芝
K4111 2SK4111
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
LMP-C/阻*变换
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
600(V)
10(μS)
1500(pF)
10(dB)
10(mA)
45(mW)