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产品属性
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数据列表 IRF3710PbF
产品相片 TO-220AB PKG
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 57A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 23 毫欧 @ 28A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3130pF @ 25V
功率 - *大 200W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRF3710PBF
IR/国际整流器
IRF3710 IRF3710PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
100(V)
10(V)
5(μS)
3130(pF)
2(dB)
57(mA)
200(mW)
mosfet型号
低压mosfet
电力场效应晶体管
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