供应MOSFET管FQD10N20CTM

产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 7.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 50 W
通道模式: Enhancement
系列: FQD10N20C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 72 ns
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 92 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: FQD10N20CTM_NL
单位重量: 330 mg
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