FQPF8N60C 场效应管 TO-220F **原装

地区:广东 汕头
认证:

陈丽燕

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(以下参数只供参考)

  • 晶体管*性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:7.5A
  • 电压, Vds *?1?7?1?7?1?7:600V
  • 在电阻RDS(上):1.2ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:48W
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C
  • 封装类型:TO-220F
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
  • 功率, Pd:48W
  • 功耗:48W
  • 封装类型:TO-220F
  • 晶体管数:1
  • 漏*电流, Id *大值:7.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电压, Vgs *高:30V
  • 电流, Idm 脉冲:30A
  • 表面安装器件:通孔安装
品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQPF8N60C

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

集电*允许电流ICM

8

封装形式

直插型

应用范围

放大