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描述:MEM2300系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。MEM2302XG适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
应用:●电池电源管理●*开关●低功率DC/DC转换
MICRONE
MEM2300XG
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
0.51~0.85V(V)
mosfet引脚
恒泰柯功率MOSFET
mosfet场效应管
低压mosfet
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