N沟MOSFET:MEM2300XG场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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描述:
MEM2300系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。MEM2302XG适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

应用:
电池电源管理
*开关
低功率DC/DC转换

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品牌/商标

MICRONE

型号/规格

MEM2300XG

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

0.51~0.85V(V)