共漏*N沟MOSFET：MEM8205系列场效应管

描述:
ME8205系列 共漏*N沟道增强型功率场效应（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。MEM8205适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

特点:
●20V/6A
●RDS(ON) =20mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
●RDS(ON) =21mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
●RDS(ON) =26mΩ@ VGS=2.5V,ID=4A
●*密度单元、*小的RDS(ON)）
●两种封装：TSSOP8、SOT23-6

应用:
●笔记本电池管理
●便携式设备
●电池电源系统
●DC/DC转换
●负载开关
●LCD显示适配器

引脚排列: