12N60三*管价钱优势质量*

地区:广东 汕头
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品牌/商标

SAM韩国三星

型号/规格

12N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

HF/高频(射频)放大

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

10(V)

夹断电压

10(V)

跨导

10(μS)

*间电容

10(pF)

低频噪声系数

10(dB)

漏*电流

10(mA)

耗散功率

600W(mW)