供应SI8483DB-T2-E1

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MicroFoot-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 16 A
Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, %2B 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Qg-栅极电荷: 65 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 13 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI8
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 值: 10 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 128.380 mg
型号/规格

SI8483DB-T2-E1

品牌/商标

VISHAY/威世

封装

QFN

批号

22+