供应晶体管 > 功率场效应晶体管 SPD18P06PGBTMA1
地区：广东 深圳
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产品属性
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| Source Content uid | SPD18P06PGBTMA1 |
| 是否无铅 | 含铅 含铅 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1299752820 |
| 零件包装代码 | TO-252AB |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 1.76 |
| Samacsys Description | MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2023/3/7 16:10 |
| YTEOL | 5.47 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 150 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
SPD18P06PGBTMA1
INFINEON
TO252
22+
