供应MOSFET FQP3P50
地区：广东 深圳
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产品属性
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| Rds On-漏源导通电阻: | 4.9 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 5 V |
| Qg-栅极电荷: | 23 nC |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 85 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 商标名: | QFET |
| 系列: | FQP3P50 |
| 封装: | Tube |
| 商标: | onsemi / Fairchild |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 45 ns |
| 正向跨导 - 小值: | 2.35 S |
| 高度: | 16.3 mm |
| 长度: | 10.67 mm |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 56 ns |
| 50 | |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel |
| 类型: | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间: | 35 ns |
| 典型接通延迟时间: | 12 ns |
| 宽度: | 4.7 mm |
| 单位重量: | 2 g |
FQP3P50
NXP
SOT23
22+
