SI7997DP-T1-GE3 MOSFET -30V Vds 20V

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 106 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 46 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI7
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 40 ns
正向跨导 - zui小值: 71 S
高度: 1.04 mm
长度: 6.15 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 50 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 P-Channel
典型关闭延迟时间: 115 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SI7997DP-GE3
单位重量: 506.600 mg

型号/规格

SI7997DP-T1-GE3

品牌/商标

VISHAY(威世)

封装

QFN-8

批号

23+

供应SI7997DP-T1-GE3 MOSFET -30V Vds 20V