供应VP2450N8-G场效应管
地区：广东 深圳
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产品属性
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| 制造商: | Microchip |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | SOT-89-3 |
| 晶体管极性: | P-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 500 V |
| Id-连续漏极电流: | 160 mA |
| Rds On-漏源导通电阻: | 30 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷: | - |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 1.6 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 封装: | Reel |
| 封装: | Cut Tape |
| 封装: | MouseReel |
| 商标: | Microchip Technology |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 25 ns |
| 正向跨导 - 小值: | 150 mS |
| 高度: | 1.6 mm |
| 长度: | 4.6 mm |
| 产品: | MOSFET Small Signal |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 25 ns |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel |
| 类型: | FET |
| 典型关闭延迟时间: | 45 ns |
| 典型接通延迟时间: | 10 ns |
| 宽度: | 2.6 mm |
| 单位重量: | 52.800 mg |
VP2450N8-G
MICROCHIP/微芯
无铅环保型
SOT-89
