供应FDB045AN08A0 场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 138 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 310 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDB045AN08A0
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 45 ns
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 88 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 9.65 mm
零件号别名: FDB045AN08A0_NL
单位重量: 4 g
型号/规格

FDB045AN08A0

品牌/商标

GENESYS

环保类别

无铅环保型

数量

5000