供应分立半导体模块 IXFN38N100Q2
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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制造商: | IXYS |
产品种类: | 分立半导体模块 |
RoHS: | 详细信息 |
产品: | Power MOSFET Modules |
技术: | Si |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V |
安装风格: | Chassis Mount |
封装 / 箱体: | SOT-227-4 |
小工作温度: | - 55 C |
大工作温度: | + 150 C |
系列: | IXFN38N100 |
封装: | Tube |
商标: | IXYS |
配置: | Single |
下降时间: | 15 ns |
高度: | 9.6 mm |
Id-连续漏极电流: | 38 A |
长度: | 38.23 mm |
通道数量: | 1 Channel |
Pd-功率耗散: | 890 W |
产品类型: | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On-漏源导通电阻: | 250 mOhms |
上升时间: | 28 ns |
子类别: | Discrete Semiconductor Modules |
商标名: | HiPerFET |
晶体管极性: | N-Channel |
典型关闭延迟时间: | 57 ns |
典型接通延迟时间: | 25 ns |
Vds-漏源极击穿电压: | 1 kV |
宽度: | 25.42 mm |
单位重量: | 30 g |
IXFN38N100Q2
IXYS
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