供应分立半导体模块 IXFN38N100Q2

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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制造商: IXYS
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  详细信息
产品: Power MOSFET Modules
技术: Si
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: IXFN38N100
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 15 ns
高度: 9.6 mm
Id-连续漏极电流: 38 A
长度: 38.23 mm
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 890 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
上升时间: 28 ns
子类别: Discrete Semiconductor Modules
商标名: HiPerFET
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 57 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
宽度: 25.42 mm
单位重量: 30 g
型号/规格

IXFN38N100Q2

品牌/商标

IXYS

封装

MODULE 模块

批号

22+