供应存储 > SRAM DS1230Y-100
地区：广东 深圳
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无
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产品属性
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| 参数名称 | 参数值 |
| 是否Rohs | 不符合 不符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| Objectid | 1438833179 |
| 包装说明 | DIP-28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 8.5 |
| 长访问时间 | 100 ns |
| 其他特性 | 10 YEARS DATA RETENTION PERIOD |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 高工作温度 | 70 °C |
| 低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 状态 | Not Qualified |
| 大待机电流 | 0.005 A |
| 子类别 | SRAMs |
| 大压摆率 | 0.085 mA |
| 大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
DS1230Y-100
DALLAS
DIP
22+
