供应IKW30N60T 晶体管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极zui大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 45 A
Pd-功率耗散: 187 W
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 175 C
系列: Trenchstop IGBT3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极zui大连续电流 Ic: 60 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 20.95 mm
长度: 15.9 mm
产品类型: IGBT Transistors
240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
宽度: 5.3 mm
零件号别名: IKW3N6TXK SP000054887 IKW30N60TFKSA1
单位重量: 38 g
型号/规格

IKW30N60T

品牌/商标

INFINEON

封装

TO-247

批号

22+