供应存储 > DRAM M13S2561616A-5TG2K

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

金牌会员13年

全部产品 进入商铺
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 1245548518
包装说明 TSOP2,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.24
风险等级 7.68
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G66
长度 22.22 mm
内存密度 268435456 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM
内存宽度 16
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 66
字数 16777216 words
字数代码 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS
组织 16MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
自我刷新 YES
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 0.65 mm
端子位置 DUAL
宽度 10.16 mm
型号/规格

M13S2561616A-5TG2K

品牌/商标

ESMT

封装

TSSOP66

批号

22+