供应晶体管 > 功率场效应晶体管 CSD16322Q5C

地区:广东 深圳
认证:

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Source Content uid CSD16322Q5C
Brand Name Texas Instruments
生命周期 Obsolete
Objectid 2103867575
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8
针数 8
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.19
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 125 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
型号/规格

CSD16322Q5C

品牌/商标

TI

封装形式

VSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装