供应晶体管 > 功率场效应晶体管 CSD16322Q5C
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
相关推荐
Source Content uid | CSD16322Q5C |
Brand Name | Texas Instruments |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 2103867575 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 7.19 |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 125 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
CSD16322Q5C
TI
VSON-8
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装