制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-CLIP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, %2B 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 900 mV
Qg-栅极电荷: 14 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 113 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
系列: CSD16321Q5
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
开发套件: TPS51218EVM-49, TPS40304EVM-353
下降时间: 17 ns
正向跨导 - zui小值: 150 S
高度: 1 mm
长度: 6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 5 mm
单位重量: 117.400 mg
