供应CSD16301Q2

地区:广东 深圳
认证:

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零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On)
3V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)
24 毫欧 @ 4A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(值)
1.55V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs(值)
+10V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)
340 pF @ 12.5 V
FET 功能
-
功率耗散(值)
2.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-SON
封装/外壳
6-SMD,扁平引线
基本产品编号
型号/规格

CSD16301Q2

品牌/商标

TI

封装

WSON6

批号

21+