供应存储 > 闪存 TC58NVG2S0HBAI6

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 4004427475
包装说明 VFBGA,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 7.55
YTEOL 6
JESD-30 代码 R-PBGA-B67
长度 8 mm
内存密度 4294967296 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 67
字数 536870912 words
字数代码 512000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
组织 512MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL
编程电压 3.3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
类型 SLC NAND TYPE
宽度 6.5 mm
型号/规格

TC58NVG2S0HBAI6

品牌/商标

TOSHIBA

封装

BGA67

批号

22+