供应存储 > 闪存 TC58NVG2S0HBAI6
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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参数名称 | 参数值 |
生命周期 | Active |
Objectid | 4004427475 |
包装说明 | VFBGA, |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
风险等级 | 7.55 |
YTEOL | 6 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B67 |
长度 | 8 mm |
内存密度 | 4294967296 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 67 |
字数 | 536870912 words |
字数代码 | 512000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
组织 | 512MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
编程电压 | 3.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
类型 | SLC NAND TYPE |
宽度 | 6.5 mm |
TC58NVG2S0HBAI6
TOSHIBA
BGA67
22+