存储 > 闪存 TC58NVG2S0HBAI6

参数名称	参数值
生命周期	Active
Objectid	4004427475
包装说明	VFBGA,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8542.32.00.51
风险等级	7.55
YTEOL	6
JESD-30 代码	R-PBGA-B67
长度	8 mm
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	67
字数	536870912 words
字数代码	512000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
组织	512MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3.3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
类型	SLC NAND TYPE
宽度	6.5 mm

型号/规格

TC58NVG2S0HBAI6

品牌/商标

TOSHIBA

封装

BGA67

批号

22+

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