供应FDD9509L-F085

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, %2B 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 75 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 60 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns
2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 190 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
单位重量: 330 mg
型号/规格

FDD9509L-F085

品牌/商标

ON

封装

TO-252

批号

22+