现货供应场效应管(功率MOSFET)SVD5N60AF/AT

地区:江苏 南京
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 我公司为士兰微代理商,SVD5N60AF/AT  TO-200 5A 600V,原装正品 现货 *

 

该产品部分相关参数如下:

VDSS(漏源反向电压Drain to Source Voltage):600 V(Min.)
ID(连续漏*电流Continuous Drain Current): 5A   (@TC = 25°C)

Ptot(耗散功率Total Power DissipationTC=25℃: 100 W/SVD5N60AT

                                                   33 W/SVD5N60AF

*间电容(VGS=0 V, VDS=25V, f= 1MHz) 

Ciss(输入电容Input Capacitance):672 pF(T*.)

Coss (输出电容Output Capacitance):66 pF(T*.)
Crss
(反馈电容Reverse Transfer Capacitance):4.7pF(T*.)

Qg(低栅电荷Low gate charge): 19.8 nC(T*.)

RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 2.4 Ω(Max.)

 

现货,质量好,价格优,属于*比产品。

 主要应用:各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。

 以上价格为*税价

 产品详细资料欢迎来电索取,本公司还提*品应用技术支持

 本公司主营各类电子器件,主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。

产品品种有:PWM控制器、场效应管、二*管、三*管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。

欢迎来电洽谈。

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品牌/商标

SILAN/士兰微

型号/规格

SVD5N60AF/AT

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2~4(V)

*间电容

参见详细说明(pF)

漏*电流

参见详细说明(mA)

耗散功率

参见详细说明(mW)