供应SPP20N60C3原装MOS管 现货代理英飞凌20N60场效应管

地区:广东 深圳
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数据列表标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装
SPB20N60C3
1,000
分离式半导体产品
FETs - Single
CoolMOS™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
190 毫欧 @ 13.1A, 10V
650V
20.7A
3.9V @ 1mA
114nC @ 10V
2400pF @ 25V
208W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
带卷 (TR)
PG-TO263-3
品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

20N60C

种类

结型(JFET)

沟道类型

其他

导电方式

增强型

用途

UNI/一般用途

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

击穿电压VCBO

100

集电*允许电流ICM

1000

应用范围

放大