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场效应管P0603BD

地区：广东 广州
认证： 无

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品牌/型号

NIKO

种类

*缘栅MOSFET

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

SMDSO/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

30（V）

跨导

24（μS）

*间电容

2500（pF）

低频噪声系数

24（dB）

漏*电流

500（mA）

耗散功率

600（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型