供应场效应管2SK1601

地区:广东 汕头
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供应一系列三*管

2SK1670250V 30A 70W
2SK1669250V 30A 125W
IXTH80N10100V 80A 250W
IXTH75N15150V 75A 150W
IXFK48N50500V 48A 300W
IXFK44N60600V 44A 300W
IXFK44N50500V 44A 300W
IXGH70N06大60V 70A 180W
IXGH47N60600V 60A 200W
IXGH11N1201200V 11A
IXGH11N90900V 11A
IXGH10N1201200V 10A
IXGH10N80800V 10A 230W
MTY34NA50500V 34A 180W
MTY30N50500V 30A 300W
MTY25NA60600V 25A 300W
MTY25N60600V 25A 300W
MTY20N50500V 20A 250W
MTY16N90900V 16A 300W
MTW45N10100V 45A 180W
MTW34*20200V 34A 180W
MTW33NA20200V 33A 180W
MTW32N20200V 32A 180W
MTP80NF10小100V 80A 260W
品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

2SK1601

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

0(V)

夹断电压

0(V)

低频跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)