极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃))
参数/Parameter
符号/ Symbol
数值/Value
单位/Unit
集电极-基极电压/Collector-Base Voltage
VCBO
40
V
集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage
VCEO
25
V
发射极-基极电压/Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
集电极连续电流/Collector Current Continuous
IC
0.5
A
集电极耗散功率/Collector Power Dissipation
PC
0.3
W
结温/Junction Temperature
Tj
150
℃
储存温度/Storage Temperature
Tstg
-55~150
℃
电性能参数/Electrical ccharacteristics (Ta=25℃))
参数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
集电极-基极击穿电压
VBR(CBO)
IC=100μA,IE=0
40
V
集电极-发射极击穿电压 VBR(CEO)
IC=1mA,IB=0
25
V
发射极-基极击穿电压
VBR(EBO)
IE=100μA,IC=0
5
V
集电极截止电流
ICBO
VCB=40V,IE=0
0.1
μA
发射极截止电流
IEBO
VEB=5V,IC=0
0.1
μA
集电极发射极穿透电流
ICEO
VCE=20V,IB=0
0.1
μA
直流电流增益
hFE(1)
VCE=1V,IC=50mA
120
350
直流电流增益
hFE(2)
VCE=1V,IC=500mA
50
集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)
IC=500mA,IB=50mA
0.6
V
基极-发射极饱和压降
VBE(sat)
IC=500mA,IB=50mA
1.2
V
特征频率
fT
VCE=6V,IC=20mA,f=30MHz
150
MHz
