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产品属性
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万代MOS管介绍:
型号:AO4821
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):19 毫欧 @ 9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):23nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2100pF @ 6V
功率 - 最大值:2W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
MOS管的分类:
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:MOS管又分耗尽型与增强型,所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类:N沟道消耗型、N沟道增强型、P沟道消耗型、 P沟道增强型。
全系列
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装